AGW75N65

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产商:	ANHI(安海)
型号:	AGW75N65
编号:	C003647224
封装:	TO-247
海关编码:	EAR99
参数描述:	TO-247
数据手册:	数据手册

规格

Category

IGBT管

IGBT类型

FS(场截止)

集射极击穿电压(Vces)

650V

集电极电流(Ic)

75A

功率(Pd)

469W

集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Vge)

1.3V

栅极阈值电压(Vge(th)@Ic)

5.6V

栅极电荷(Qg@Ic,Vge)

142nC

输入电容(Cies@Vce)

3.91nF

开启延迟时间(Td(on))

71ns

关断延迟时间(Td(off))

211ns

导通损耗(Eon)

3.08mJ

关断损耗(Eoff)

2.57mJ

反向恢复时间(Trr)

323ns

工作温度

-55℃~+175℃

店铺:

1001

入驻

合作库存

数量[pcs]

单价[CNY/pcs]

1+

20.09595

10+

17.50791

25+

15.96819

100+

14.40663

数量(递增量:1):

库存:

1,500

+-

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最小包装量:

25 (管)

交付周期:

2-3 工作日

共:

￥20.10

C003647224 AGW75N65 由 ANHI(安海) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-IGBT管 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C003647224 AGW75N65 参考价格 ￥20.096，实时库存 1500。TO-247 IGBT类型: FS(场截止), 集射极击穿电压(Vces): 650V, 集电极电流(Ic): 75A, 功率(Pd): 469W, 集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Vge): 1.3V, 栅极阈值电压(Vge(th)@Ic): 5.6V, 栅极电荷(Qg@Ic,Vge): 142nC, 输入电容(Cies@Vce): 3.91nF, 开启延迟时间(Td(on)): 71ns, 关断延迟时间(Td(off)): 211ns, 导通损耗(Eon): 3.08mJ, 关断损耗(Eoff): 2.57mJ, 反向恢复时间(Trr): 323ns, 工作温度: -55℃~+175℃。你可以下载 AGW75N65 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。