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规格
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)
50@500mA,10V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)
500mV@50mA,500mA
C004504399 2N3019 由 Microchip(微芯) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-双极晶体管(三极管) 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C004504399 2N3019 参考价格 ¥133.83,实时库存 1。TO-5 晶体管类型: NPN, 集电极电流(Ic): 1A, 集射极击穿电压(Vceo): 80V, 功率(Pd): 800mW, 直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 50@500mA,10V, 集电极截止电流(Icbo): 10uA, 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): 500mV@50mA,500mA, 工作温度: -65℃~+200℃@(Tj)。你可以下载 2N3019 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。