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2N3439

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:Microchip(微芯)
型号:
编号:
封装:TO-39-3
海关编码:-
参数描述:耐压:350V 电流:1A NPN
数据手册:
数据手册
规格
Category
双极晶体管(三极管)
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
1A
集射极击穿电压(Vceo)
350V
功率(Pd)
800mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)
40@20mA,10V
集电极截止电流(Icbo)
5uA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)
500mV@50mA,4mA
工作温度
-65℃~+200℃@(Tj)
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
117.48
10+
112.99
30+
105.22
100+
98.44
数量(递增量:1):
库存:
100
最小包装量:
100 (袋)
交付周期:
2-5 工作日
共:
117.48
C004510097 2N3439 由 Microchip(微芯) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-双极晶体管(三极管) 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C004510097 2N3439 参考价格 ¥117.48,实时库存 100。TO-39-3 晶体管类型: NPN, 集电极电流(Ic): 1A, 集射极击穿电压(Vceo): 350V, 功率(Pd): 800mW, 直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 40@20mA,10V, 集电极截止电流(Icbo): 5uA, 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): 500mV@50mA,4mA, 工作温度: -65℃~+200℃@(Tj)。你可以下载 2N3439 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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