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NST65010MW6T1G

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:ON(安森美)
型号:
编号:
封装:SOT-363
海关编码:-
参数描述:PNP 电流:100mA 耐压:65V
数据手册:
数据手册
规格
Category
双极晶体管(三极管)
晶体管类型
PNP
集电极电流(Ic)
100mA
集射极击穿电压(Vceo)
65V
功率(Pd)
380mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)
220@2mA,5V
特征频率(fT)
100MHz
集电极截止电流(Icbo)
15nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)
650mV@5mA,100mA
工作温度
-55℃~+150℃@(Tj)
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
5+
1.0619
50+
0.852
150+
0.762
500+
0.6498
3000+
0.5698
6000+
0.5398
数量(递增量:5):
库存:
3,000
最小包装量:
3000 (圆盘)
交付周期:
2-5 工作日
共:
5.31
C004511543 NST65010MW6T1G 由 ON(安森美) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-双极晶体管(三极管) 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C004511543 NST65010MW6T1G 参考价格 ¥1.0619,实时库存 3000。SOT-363 晶体管类型: PNP, 集电极电流(Ic): 100mA, 集射极击穿电压(Vceo): 65V, 功率(Pd): 380mW, 直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 220@2mA,5V, 特征频率(fT): 100MHz, 集电极截止电流(Icbo): 15nA, 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): 650mV@5mA,100mA, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 NST65010MW6T1G 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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