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TSM650P03CX RFG

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:TSC(台半)
型号:
编号:
封装:SOT-23
海关编码:-
参数描述:1个P沟道 耐压:30V 电流:4.1A
数据手册:
数据手册
规格
Category
MOSFET
类型
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
4.1A
功率(Pd)
1.56W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
65mΩ@10V,4A
阈值电压(Vgs(th)@Id)
900mV@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)
6.4nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)
810pF@15V
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
1.1443
10+
0.9357
30+
0.8463
100+
0.7348
500+
0.6851
1000+
0.6553
数量(递增量:1):
库存:
3,000
最小包装量:
3000 (圆盘)
交付周期:
2-5 工作日
共:
1.15
C004535452 TSM650P03CX RFG 由 TSC(台半) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C004535452 TSM650P03CX RFG 参考价格 ¥1.1443,实时库存 3000。SOT-23 类型: 1个P沟道, 漏源电压(Vdss): 30V, 连续漏极电流(Id): 4.1A, 功率(Pd): 1.56W, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 65mΩ@10V,4A, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 900mV@250uA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 6.4nC@4.5V, 输入电容(Ciss@Vds): 810pF@15V。你可以下载 TSM650P03CX RFG 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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