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2SK1317-E

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:Renesas(瑞萨)
型号:
编号:
封装:TO-3P
海关编码:-
参数描述:1个N沟道 耐压:1.5kV 电流:2.5A
数据手册:
数据手册
规格
Category
MOSFET
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1.5kV
连续漏极电流(Id)
2.5A
功率(Pd)
100W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
12Ω@15V,2A
输入电容(Ciss@Vds)
990pF@10V
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
24.33
10+
21.02
30+
19.05
90+
17.06
510+
16.14
990+
15.73
数量(递增量:1):
库存:
248
最小包装量:
30 (管)
交付周期:
2-5 工作日
共:
24.33
C004542674 2SK1317-E 由 Renesas(瑞萨) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C004542674 2SK1317-E 参考价格 ¥24.33,实时库存 248。TO-3P 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 1.5kV, 连续漏极电流(Id): 2.5A, 功率(Pd): 100W, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 12Ω@15V,2A, 输入电容(Ciss@Vds): 990pF@10V。你可以下载 2SK1317-E 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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