BSD816SN L6327

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产商:	Infineon(英飞凌)
型号:	BSD816SN L6327
编号:	C004545176
封装:	SOT-363-6
海关编码:	-
参数描述:	1个N沟道 耐压:20V 电流:1.4A
数据手册:	数据手册

规格

Category

MOSFET

类型

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

20V

连续漏极电流(Id)

1.4A

功率(Pd)

500mW

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)

160mΩ@1.4A,2.5V

阈值电压(Vgs(th)@Id)

950mV@3.7uA

栅极电荷(Qg@Vgs)

600pC@2.5V

输入电容(Ciss@Vds)

180pF@10V

工作温度

-55℃~+150℃@(Tj)

店铺:

1001

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合作库存

数量[pcs]

单价[CNY/pcs]

1+

0.286185

200+

0.11075

500+

0.106858

1000+

0.104935

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C004545176 BSD816SN L6327 由 Infineon(英飞凌) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C004545176 BSD816SN L6327 参考价格 ￥0.286185，实时库存 3000。SOT-363-6 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 20V, 连续漏极电流(Id): 1.4A, 功率(Pd): 500mW, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 160mΩ@1.4A,2.5V, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 950mV@3.7uA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 600pC@2.5V, 输入电容(Ciss@Vds): 180pF@10V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 BSD816SN L6327 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。