GL30P10A4

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产商:	Guanglei(光磊)
型号:	GL30P10A4
编号:	C004545346
封装:	TO-252
海关编码:	-
参数描述:	1个P沟道 耐压:100V 电流:30A
数据手册:	数据手册

规格

Category

MOSFET

类型

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

100V

连续漏极电流(Id)

30A

功率(Pd)

120W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)

45mΩ@10V,15A

阈值电压(Vgs(th)@Id)

3V@250uA

栅极电荷(Qg@Vgs)

90nC@10V

输入电容(Ciss@Vds)

2.7nF@25V

反向传输电容(Crss@Vds)

450pF@25V

店铺:

1001

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数量[pcs]

单价[CNY/pcs]

1+

3.56

10+

2.94

30+

2.63

100+

2.32

500+

2.14

1000+

2.04

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C004545346 GL30P10A4 由 Guanglei(光磊) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C004545346 GL30P10A4 参考价格 ￥3.56，实时库存 2500。TO-252 类型: 1个P沟道, 漏源电压(Vdss): 100V, 连续漏极电流(Id): 30A, 功率(Pd): 120W, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 45mΩ@10V,15A, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 3V@250uA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 90nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 2.7nF@25V, 反向传输电容(Crss@Vds): 450pF@25V。你可以下载 GL30P10A4 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。