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HCT7000MTX

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:TT Electronics
型号:
编号:
封装:SMD-3P
海关编码:-
参数描述:1个N沟道 耐压:60V 电流:200mA
数据手册:
数据手册
规格
Category
MOSFET
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
200mA
功率(Pd)
300mW
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
5Ω@500mA,10V
阈值电压(Vgs(th)@Id)
3V@1mA
输入电容(Ciss@Vds)
60pF@25V
工作温度
-55℃~+150℃@(Tj)
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
639.2
200+
255.05
500+
246.53
1000+
242.31
数量(递增量:1):
库存:
100
最小包装量:
100 (袋)
交付周期:
2-5 工作日
共:
639.20
C004546057 HCT7000MTX 由 TT Electronics 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C004546057 HCT7000MTX 参考价格 ¥639.2,实时库存 100。SMD-3P 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 60V, 连续漏极电流(Id): 200mA, 功率(Pd): 300mW, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 5Ω@500mA,10V, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 3V@1mA, 输入电容(Ciss@Vds): 60pF@25V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 HCT7000MTX 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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