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NP100P04PDG-E1-AY

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:Renesas(瑞萨)
型号:
编号:
封装:TO-263
海关编码:-
参数描述:1个P沟道 耐压:40V 电流:100A
数据手册:
数据手册
规格
Category
MOSFET
类型
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
40V
连续漏极电流(Id)
100A
功率(Pd)
1.8W;200W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
3.5mΩ@10V,50A
阈值电压(Vgs(th)@Id)
2.5V@1mA
栅极电荷(Qg@Vgs)
320nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)
15.1nF@10V
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
23.09
10+
22.48
30+
22.08
100+
21.68
数量(递增量:1):
库存:
800
最小包装量:
800 (圆盘)
交付周期:
2-5 工作日
共:
23.09
C004547506 NP100P04PDG-E1-AY 由 Renesas(瑞萨) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C004547506 NP100P04PDG-E1-AY 参考价格 ¥23.09,实时库存 800。TO-263 类型: 1个P沟道, 漏源电压(Vdss): 40V, 连续漏极电流(Id): 100A, 功率(Pd): 1.8W;200W, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 3.5mΩ@10V,50A, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 2.5V@1mA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 320nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 15.1nF@10V。你可以下载 NP100P04PDG-E1-AY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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