SIS413DN-T1-GE3

C004548637 SIS413DN-T1-GE3 由 Vishay(威世) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C004548637 SIS413DN-T1-GE3 参考价格 ￥3.35，实时库存 3000。PowerPAK1212-8 类型: 1个P沟道, 漏源电压(Vdss): 30V, 连续漏极电流(Id): 18A, 功率(Pd): 3.7W；52W, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 9.4mΩ@10V,15A, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 110nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 4.28nF@15V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 SIS413DN-T1-GE3 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。