NP100P06PDG-E1-AY

C004554149 NP100P06PDG-E1-AY 由 Renesas(瑞萨) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C004554149 NP100P06PDG-E1-AY 参考价格 ￥24.55，实时库存 800。TO-263 类型: 1个P沟道, 漏源电压(Vdss): 60V, 连续漏极电流(Id): 100A, 功率(Pd): 200W；1.8W, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 6mΩ@50A,10V, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 2.5V@1mA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 300nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 15nF@10V。你可以下载 NP100P06PDG-E1-AY 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。