FDV303N

The pictures of products are only demonstrative and may be different than the real look of products. It does not change their basic features.

Mfr.:	ON(安森美)
Mfr. Part #:	FDV303N
YJC. No:	C004555120
Package:	SOT-23
ECCN:	-
Description:	1个N沟道 耐压:25V 电流:680mA
Datasheet:	Datasheet

SPECIFICATION

Category

MOSFET

类型

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

25V

连续漏极电流(Id)

680mA

功率(Pd)

350mW

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)

450mΩ@4.5V,500mA

阈值电压(Vgs(th)@Id)

1.5V@250uA

栅极电荷(Qg@Vgs)

2.3nC@4.5V

输入电容(Ciss@Vds)

50pF@10V

工作温度

-55℃~+150℃@(Tj)

Shop:

1001

Settle

Cooperation

QTY[pcs]

Price[CNY/pcs]

5+

0.455007

50+

0.364411

150+

0.319113

500+

0.285139

3000+

0.257961

6000+

0.244371

QTY(Multiplicity:5):

Stock:

4,510

+-

Add To Cart

Quota

Mpq:

3000 (圆盘)

Delivery:

2-5 Business Day

Total:

￥2.28

C004555120 FDV303N 由 ON(安森美) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C004555120 FDV303N 参考价格 ￥0.455007，实时库存 4510。SOT-23 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 25V, 连续漏极电流(Id): 680mA, 功率(Pd): 350mW, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 450mΩ@4.5V,500mA, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 1.5V@250uA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 2.3nC@4.5V, 输入电容(Ciss@Vds): 50pF@10V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 FDV303N 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。