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SIA517DJ-T1-GE3

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:Vishay(威世)
型号:
编号:
封装:PowerPAK-SC-70-6-Dual
海关编码:-
参数描述:1个N沟道+1个P沟道 耐压:12V 电流:4.5A
数据手册:
数据手册
数据手册
规格
Category
MOSFET
类型
1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)
12V
连续漏极电流(Id)
4.5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
29mΩ@4.5V,5A
功率(Pd)
6.5W
阈值电压(Vgs(th)@Id)
1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)
15nC@8V
输入电容(Ciss@Vds)
500pF@6V
工作温度
-55℃~+150℃@(Tj)
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
7.63
10+
6.47
30+
5.83
100+
5.11
500+
4.79
1000+
4.65
数量(递增量:1):
库存:
50
最小包装量:
1 (圆盘)
交付周期:
2-5 工作日
共:
7.63
C004557337 SIA517DJ-T1-GE3 由 Vishay(威世) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C004557337 SIA517DJ-T1-GE3 参考价格 ¥7.63,实时库存 50。PowerPAK-SC-70-6-Dual 类型: 1个N沟道+1个P沟道, 漏源电压(Vdss): 12V, 连续漏极电流(Id): 4.5A, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 29mΩ@4.5V,5A, 功率(Pd): 6.5W, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 1V@250uA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 15nC@8V, 输入电容(Ciss@Vds): 500pF@6V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 SIA517DJ-T1-GE3 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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