HG9435M/TR

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产商:	HGSEMI(华冠)
型号:	HG9435M/TR
编号:	C004611614
封装:	SOP-8
海关编码:	-
参数描述:	1个P沟道 耐压:30V 电流:5.3A
数据手册:	数据手册

规格

Category

MOSFET

类型

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

5.3A

功率(Pd)

2.5W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)

40mΩ@10V,5.3A

阈值电压(Vgs(th)@Id)

3V@250uA

栅极电荷(Qg@Vgs)

29nC@10V

输入电容(Ciss@Vds)

860pF@15V

反向传输电容(Crss@Vds)

140pF@15V

工作温度

-55℃~+150℃@(Tj)

店铺:

1001

入驻

合作库存

数量[pcs]

单价[CNY/pcs]

5+

0.675384

50+

0.555384

150+

0.495384

500+

0.450384

2500+

0.366

5000+

0.348

数量(递增量:5):

库存:

2,500

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2-5 工作日

共:

￥3.38

C004611614 HG9435M/TR 由 HGSEMI(华冠) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C004611614 HG9435M/TR 参考价格 ￥0.675384，实时库存 2500。SOP-8 类型: 1个P沟道, 漏源电压(Vdss): 30V, 连续漏极电流(Id): 5.3A, 功率(Pd): 2.5W, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 40mΩ@10V,5.3A, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 3V@250uA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 29nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 860pF@15V, 反向传输电容(Crss@Vds): 140pF@15V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 HG9435M/TR 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。