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TSM60NB1R4CH C5G

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:TSC(台半)
型号:
编号:
封装:TO-251(IPAK)
海关编码:-
参数描述:1个N沟道 耐压:600V 电流:3A 停产
数据手册:
数据手册
规格
Category
MOSFET
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
600V
连续漏极电流(Id)
3A
功率(Pd)
28.4W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
1Ω@10V,900mA
阈值电压(Vgs(th)@Id)
4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)
7.12nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)
257.3pF@100V
工作温度
-55℃~+150℃@(Tj)
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
3.22
10+
2.62
30+
2.36
75+
2.04
525+
1.89
975+
1.81
数量(递增量:1):
库存:
75
最小包装量:
75 (管)
交付周期:
2-5 工作日
共:
3.22
C004618858 TSM60NB1R4CH C5G 由 TSC(台半) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C004618858 TSM60NB1R4CH C5G 参考价格 ¥3.22,实时库存 75。TO-251(IPAK) 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 600V, 连续漏极电流(Id): 3A, 功率(Pd): 28.4W, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 1Ω@10V,900mA, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 4V@250uA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 7.12nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 257.3pF@100V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 TSM60NB1R4CH C5G 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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