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RBN75H65T1FPQ-A0#CB0

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:Renesas(瑞萨)
型号:
编号:
封装:TO-247A
海关编码:-
参数描述:耐压:650V 电流:150A
数据手册:
规格
Category
IGBT管
集射极击穿电压(Vces)
650V
集电极电流(Ic)
150A
功率(Pd)
312W
栅极阈值电压(Vge(th)@Ic)
2V@15V,75A
栅极电荷(Qg@Ic,Vge)
54nC
开启延迟时间(Td(on))
29ns
关断延迟时间(Td(off))
113ns
导通损耗(Eon)
1.6mJ
关断损耗(Eoff)
1mJ
反向恢复时间(Trr)
72ns
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
78.01
200+
30.19
500+
29.13
1000+
28.61
数量(递增量:1):
库存:
20,000
最小包装量:
25 (管)
交付周期:
2-5 工作日
共:
78.01
C005359318 RBN75H65T1FPQ-A0#CB0 由 Renesas(瑞萨) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-IGBT管 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C005359318 RBN75H65T1FPQ-A0#CB0 参考价格 ¥78.01,实时库存 20000。TO-247A 集射极击穿电压(Vces): 650V, 集电极电流(Ic): 150A, 功率(Pd): 312W, 栅极阈值电压(Vge(th)@Ic): 2V@15V,75A, 栅极电荷(Qg@Ic,Vge): 54nC, 开启延迟时间(Td(on)): 29ns, 关断延迟时间(Td(off)): 113ns, 导通损耗(Eon): 1.6mJ, 关断损耗(Eoff): 1mJ, 反向恢复时间(Trr): 72ns。你可以下载 RBN75H65T1FPQ-A0#CB0 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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