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IXXN200N60C3H1

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:IXYS(艾赛斯)
型号:
编号:
封装:SOT-227B
海关编码:-
参数描述:耐压:600V 电流:200A 五件套
数据手册:
数据手册
规格
Category
IGBT管
IGBT类型
PT(穿通型)
集射极击穿电压(Vces)
600V
集电极电流(Ic)
200A
功率(Pd)
780W
栅极阈值电压(Vge(th)@Ic)
2.1V@15V,100A
输入电容(Cies@Vce)
9.9nF@25V
工作温度
-55℃~+150℃@(Tj)
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
312.68
数量(递增量:1):
库存:
10
最小包装量:
10 (管)
交付周期:
2-5 工作日
共:
312.68
C005359764 IXXN200N60C3H1 由 IXYS(艾赛斯) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-IGBT管 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C005359764 IXXN200N60C3H1 参考价格 ¥312.68,实时库存 10。SOT-227B IGBT类型: PT(穿通型), 集射极击穿电压(Vces): 600V, 集电极电流(Ic): 200A, 功率(Pd): 780W, 栅极阈值电压(Vge(th)@Ic): 2.1V@15V,100A, 输入电容(Cies@Vce): 9.9nF@25V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 IXXN200N60C3H1 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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