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IXXH75N60B3D1

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:IXYS(艾赛斯)
型号:
编号:
封装:TO-247-3
海关编码:-
参数描述:耐压:600V 电流:160A
数据手册:
数据手册
规格
Category
IGBT管
集射极击穿电压(Vces)
600V
集电极电流(Ic)
160A
功率(Pd)
750W
正向压降(Vf@If)
2.7V@30A
集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Vge)
1.6V@60A,15V
栅极阈值电压(Vge(th)@Ic)
5.5V@250uA
输入电容(Cies@Vce)
3.29nF@25V
开启延迟时间(Td(on))
35ns
关断延迟时间(Td(off))
118ns
导通损耗(Eon)
1.7mJ
关断损耗(Eoff)
1.5mJ
反向恢复时间(Trr)
25ns
工作温度
-55℃~+175℃@(Tj)
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
38.46
10+
33.42
30+
30.35
100+
27.78
数量(递增量:1):
库存:
431
最小包装量:
30 (管)
交付周期:
2-5 工作日
共:
38.46
C005365426 IXXH75N60B3D1 由 IXYS(艾赛斯) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-IGBT管 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C005365426 IXXH75N60B3D1 参考价格 ¥38.46,实时库存 431。TO-247-3 集射极击穿电压(Vces): 600V, 集电极电流(Ic): 160A, 功率(Pd): 750W, 正向压降(Vf@If): 2.7V@30A, 集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Vge): 1.6V@60A,15V, 栅极阈值电压(Vge(th)@Ic): 5.5V@250uA, 输入电容(Cies@Vce): 3.29nF@25V, 开启延迟时间(Td(on)): 35ns, 关断延迟时间(Td(off)): 118ns, 导通损耗(Eon): 1.7mJ, 关断损耗(Eoff): 1.5mJ, 反向恢复时间(Trr): 25ns, 工作温度: -55℃~+175℃@(Tj)。你可以下载 IXXH75N60B3D1 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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