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NTE3323

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:NTE Electronics
型号:
编号:
封装:TO-3P
海关编码:-
参数描述:耐压:1.2kV 电流:25A
数据手册:
规格
Category
IGBT管
集射极击穿电压(Vces)
1.2kV
集电极电流(Ic)
25A
功率(Pd)
200W
栅极阈值电压(Vge(th)@Ic)
4V@15V,25A
开启延迟时间(Td(on))
400ns
关断延迟时间(Td(off))
800ns
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
422.15
200+
168.44
500+
162.82
1000+
160.04
数量(递增量:1):
库存:
1
最小包装量:
1 (袋)
交付周期:
2-5 工作日
共:
422.15

C005373800 NTE3323 由 NTE Electronics 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-IGBT管 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C005373800 NTE3323 参考价格 ¥422.15,实时库存 1。TO-3P 集射极击穿电压(Vces): 1.2kV, 集电极电流(Ic): 25A, 功率(Pd): 200W, 栅极阈值电压(Vge(th)@Ic): 4V@15V,25A, 开启延迟时间(Td(on)): 400ns, 关断延迟时间(Td(off)): 800ns。你可以下载 NTE3323 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。

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