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RGS80TSX2DHRC11

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:ROHM(罗姆)
型号:
编号:
封装:TO-247-3
海关编码:-
参数描述:耐压:1.2kV 电流:80A
数据手册:
数据手册
规格
Category
IGBT管
IGBT类型
FS(场截止)
集射极击穿电压(Vces)
1.2kV
集电极电流(Ic)
80A
功率(Pd)
555W
栅极阈值电压(Vge(th)@Ic)
2.1V@15V,40A
栅极电荷(Qg@Ic,Vge)
104nC
开启延迟时间(Td(on))
49ns
关断延迟时间(Td(off))
199ns
导通损耗(Eon)
3mJ
关断损耗(Eoff)
3.1mJ
反向恢复时间(Trr)
198ns
工作温度
-40℃~+175℃@(Tj)
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
33.69
10+
28.91
30+
22.58
100+
19.7
500+
18.38
1000+
17.78
数量(递增量:1):
库存:
364
最小包装量:
30 (管)
交付周期:
2-5 工作日
共:
33.69
C005373930 RGS80TSX2DHRC11 由 ROHM(罗姆) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-IGBT管 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C005373930 RGS80TSX2DHRC11 参考价格 ¥33.69,实时库存 364。TO-247-3 IGBT类型: FS(场截止), 集射极击穿电压(Vces): 1.2kV, 集电极电流(Ic): 80A, 功率(Pd): 555W, 栅极阈值电压(Vge(th)@Ic): 2.1V@15V,40A, 栅极电荷(Qg@Ic,Vge): 104nC, 开启延迟时间(Td(on)): 49ns, 关断延迟时间(Td(off)): 199ns, 导通损耗(Eon): 3mJ, 关断损耗(Eoff): 3.1mJ, 反向恢复时间(Trr): 198ns, 工作温度: -40℃~+175℃@(Tj)。你可以下载 RGS80TSX2DHRC11 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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