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DGTD65T60S2PT

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:Diodes(美台)
型号:
编号:
封装:TO-247-3
海关编码:-
参数描述:耐压:650V 电流:100A 停产
数据手册:
数据手册
规格
Category
IGBT管
IGBT类型
FS(场截止)
集射极击穿电压(Vces)
650V
集电极电流(Ic)
100A
功率(Pd)
428W
栅极阈值电压(Vge(th)@Ic)
2.4V@15V,60A
栅极电荷(Qg@Ic,Vge)
95nC
开启延迟时间(Td(on))
42ns
关断延迟时间(Td(off))
142ns
反向恢复时间(Trr)
205ns
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
17.09
10+
14.96
30+
13.62
100+
12.25
450+
11.63
900+
11.36
数量(递增量:1):
库存:
450
最小包装量:
450 (管)
交付周期:
2-5 工作日
共:
17.09
C005373989 DGTD65T60S2PT 由 Diodes(美台) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-IGBT管 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C005373989 DGTD65T60S2PT 参考价格 ¥17.09,实时库存 450。TO-247-3 IGBT类型: FS(场截止), 集射极击穿电压(Vces): 650V, 集电极电流(Ic): 100A, 功率(Pd): 428W, 栅极阈值电压(Vge(th)@Ic): 2.4V@15V,60A, 栅极电荷(Qg@Ic,Vge): 95nC, 开启延迟时间(Td(on)): 42ns, 关断延迟时间(Td(off)): 142ns, 反向恢复时间(Trr): 205ns。你可以下载 DGTD65T60S2PT 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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