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NTE3320

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:NTE Electronics
型号:
编号:
封装:TO-3P
海关编码:-
参数描述:耐压:600V 电流:50A
数据手册:
规格
Category
IGBT管
集射极击穿电压(Vces)
600V
集电极电流(Ic)
50A
功率(Pd)
240W
栅极阈值电压(Vge(th)@Ic)
2.45V@15V,50A
开启延迟时间(Td(on))
240ns
关断延迟时间(Td(off))
300ns
导通损耗(Eon)
1.3mJ
关断损耗(Eoff)
1.34mJ
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
317.01
200+
126.49
500+
122.27
1000+
120.18
数量(递增量:1):
库存:
1
最小包装量:
1 (袋)
交付周期:
2-5 工作日
共:
317.01

C005480097 NTE3320 由 NTE Electronics 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-IGBT管 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C005480097 NTE3320 参考价格 ¥317.01,实时库存 1。TO-3P 集射极击穿电压(Vces): 600V, 集电极电流(Ic): 50A, 功率(Pd): 240W, 栅极阈值电压(Vge(th)@Ic): 2.45V@15V,50A, 开启延迟时间(Td(on)): 240ns, 关断延迟时间(Td(off)): 300ns, 导通损耗(Eon): 1.3mJ, 关断损耗(Eoff): 1.34mJ。你可以下载 NTE3320 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。

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