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规格
栅极阈值电压(Vge(th)@Ic)
3.15V@15V,50A
C005480327 APT50GS60BRDQ2G 由 Microchip(微芯) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-IGBT管 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C005480327 APT50GS60BRDQ2G 参考价格 ¥112.46,实时库存 30。TO-247-3 IGBT类型: NPT(非穿通型), 集射极击穿电压(Vces): 600V, 集电极电流(Ic): 93A, 功率(Pd): 415W, 栅极阈值电压(Vge(th)@Ic): 3.15V@15V,50A, 栅极电荷(Qg@Ic,Vge): 235nC, 开启延迟时间(Td(on)): 16ns, 关断延迟时间(Td(off)): 225ns, 关断损耗(Eoff): 0.755mJ, 反向恢复时间(Trr): 25ns, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 APT50GS60BRDQ2G 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。