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APT50GS60BRDQ2G

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:Microchip(微芯)
型号:
编号:
封装:TO-247-3
海关编码:-
参数描述:耐压:600V 电流:93A
数据手册:
数据手册
规格
Category
IGBT管
IGBT类型
NPT(非穿通型)
集射极击穿电压(Vces)
600V
集电极电流(Ic)
93A
功率(Pd)
415W
栅极阈值电压(Vge(th)@Ic)
3.15V@15V,50A
栅极电荷(Qg@Ic,Vge)
235nC
开启延迟时间(Td(on))
16ns
关断延迟时间(Td(off))
225ns
关断损耗(Eoff)
0.755mJ
反向恢复时间(Trr)
25ns
工作温度
-55℃~+150℃@(Tj)
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
112.46
10+
107.98
30+
100.22
90+
93.46
数量(递增量:1):
库存:
30
最小包装量:
30 (管)
交付周期:
2-5 工作日
共:
112.46
C005480327 APT50GS60BRDQ2G 由 Microchip(微芯) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-IGBT管 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C005480327 APT50GS60BRDQ2G 参考价格 ¥112.46,实时库存 30。TO-247-3 IGBT类型: NPT(非穿通型), 集射极击穿电压(Vces): 600V, 集电极电流(Ic): 93A, 功率(Pd): 415W, 栅极阈值电压(Vge(th)@Ic): 3.15V@15V,50A, 栅极电荷(Qg@Ic,Vge): 235nC, 开启延迟时间(Td(on)): 16ns, 关断延迟时间(Td(off)): 225ns, 关断损耗(Eoff): 0.755mJ, 反向恢复时间(Trr): 25ns, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 APT50GS60BRDQ2G 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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