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RGT50NS65DGTL

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:ROHM(罗姆)
型号:
编号:
封装:TO-263-2
海关编码:-
参数描述:耐压:650V 电流:48A
数据手册:
数据手册
规格
Category
IGBT管
IGBT类型
FS(场截止)
集射极击穿电压(Vces)
650V
集电极电流(Ic)
48A
功率(Pd)
194W
反向恢复时间(Trr)
58ns
工作温度
-40℃~+175℃@(Tj)
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
20.87
10+
18.36
30+
16.87
100+
15.37
500+
12.43
1000+
12.12
数量(递增量:1):
库存:
1,000
最小包装量:
1000 (圆盘)
交付周期:
2-5 工作日
共:
20.87
C005480334 RGT50NS65DGTL 由 ROHM(罗姆) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-IGBT管 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C005480334 RGT50NS65DGTL 参考价格 ¥20.87,实时库存 1000。TO-263-2 IGBT类型: FS(场截止), 集射极击穿电压(Vces): 650V, 集电极电流(Ic): 48A, 功率(Pd): 194W, 反向恢复时间(Trr): 58ns, 工作温度: -40℃~+175℃@(Tj)。你可以下载 RGT50NS65DGTL 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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