DGTD65T50S1PT

C005480357 DGTD65T50S1PT 由 Diodes(美台) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-IGBT管 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C005480357 DGTD65T50S1PT 参考价格 ￥19.74，实时库存 450。TO-247-3 IGBT类型: FS(场截止), 集射极击穿电压(Vces): 650V, 集电极电流(Ic): 100A, 功率(Pd): 375W, 栅极阈值电压(Vge(th)@Ic): 2.4V@15V,50A, 栅极电荷(Qg@Ic,Vge): 287nC, 开启延迟时间(Td(on)): 58ns, 关断延迟时间(Td(off)): 328ns, 反向恢复时间(Trr): 80ns。你可以下载 DGTD65T50S1PT 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。