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WG50N65DHWQ

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:WeEn(瑞能)
型号:
编号:
封装:TO-247-3
海关编码:-
参数描述:耐压:650V 电流:91A
数据手册:
规格
Category
IGBT管
IGBT类型
FS(场截止)
集射极击穿电压(Vces)
650V
集电极电流(Ic)
91A
功率(Pd)
278W
栅极阈值电压(Vge(th)@Ic)
2V@15V,50A
栅极电荷(Qg@Ic,Vge)
160nC
开启延迟时间(Td(on))
66ns
关断延迟时间(Td(off))
163ns
导通损耗(Eon)
1.7mJ
关断损耗(Eoff)
0.6mJ
反向恢复时间(Trr)
105ns
工作温度
-55℃~+150℃@(Tj)
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
27.83
200+
10.77
600+
10.39
1200+
10.21
数量(递增量:1):
库存:
600
最小包装量:
600 (管)
交付周期:
2-5 工作日
共:
27.83
C005480378 WG50N65DHWQ 由 WeEn(瑞能) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-IGBT管 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C005480378 WG50N65DHWQ 参考价格 ¥27.83,实时库存 600。TO-247-3 IGBT类型: FS(场截止), 集射极击穿电压(Vces): 650V, 集电极电流(Ic): 91A, 功率(Pd): 278W, 栅极阈值电压(Vge(th)@Ic): 2V@15V,50A, 栅极电荷(Qg@Ic,Vge): 160nC, 开启延迟时间(Td(on)): 66ns, 关断延迟时间(Td(off)): 163ns, 导通损耗(Eon): 1.7mJ, 关断损耗(Eoff): 0.6mJ, 反向恢复时间(Trr): 105ns, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 WG50N65DHWQ 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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