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规格
直流电流增益(hFE@Vce,Ic)
2000@500mA,10V
集电极-发射极饱和电压((VCE(sat)@Ic,Ib)
1.8V@1mA,1A
C005511405 BSP61E6327 由 Infineon(英飞凌) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-达林顿管 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C005511405 BSP61E6327 参考价格 ¥3.26,实时库存 1000。SOT-223 类型: PNP, 集射极击穿电压(Vceo): 60V, 直流电流增益(hFE@Vce,Ic): 2000@500mA,10V, 功率(Pd): 1.5W, 集电极电流(Ic): 1A, 特征频率(fT): 200MHz, 集电极截止电流(Icbo@Vcb): 10uA, 集电极-发射极饱和电压((VCE(sat)@Ic,Ib): 1.8V@1mA,1A。你可以下载 BSP61E6327 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。