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BSP62,115

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:Nexperia(安世)
型号:
编号:
封装:SOT-223-3
海关编码:-
参数描述:PNP 耐压:80V 电流:1A
数据手册:
数据手册
规格
Category
达林顿管
类型
PNP
集射极击穿电压(Vceo)
80V
直流电流增益(hFE@Vce,Ic)
2000@10V,500mA
功率(Pd)
1.25W
集电极电流(Ic)
1A
特征频率(fT)
200MHz
集电极截止电流(Icbo@Vcb)
50nA
集电极-发射极饱和电压((VCE(sat)@Ic,Ib)
1.3V@500mA,500uA
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
5+
2.0668
50+
1.6771
150+
1.4461
1000+
1.2378
2000+
1.145
5000+
1.0893
数量(递增量:1000):
库存:
2,000
最小包装量:
1000 (圆盘)
交付周期:
2-5 工作日
共:
1,237.80
C005519619 BSP62,115 由 Nexperia(安世) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-达林顿管 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C005519619 BSP62,115 参考价格 ¥2.0668,实时库存 2000。SOT-223-3 类型: PNP, 集射极击穿电压(Vceo): 80V, 直流电流增益(hFE@Vce,Ic): 2000@10V,500mA, 功率(Pd): 1.25W, 集电极电流(Ic): 1A, 特征频率(fT): 200MHz, 集电极截止电流(Icbo@Vcb): 50nA, 集电极-发射极饱和电压((VCE(sat)@Ic,Ib): 1.3V@500mA,500uA。你可以下载 BSP62,115 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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