AOD5B65M1

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Mfr.:	AOS(美国万代)
Mfr. Part #:	AOD5B65M1
YJC. No:	C005526493
Package:	TO-252-2(DPAK)
ECCN:	-
Description:	耐压:650V 电流:10A
Datasheet:	Datasheet

SPECIFICATION

Category

IGBT管

集射极击穿电压(Vces)

650V

集电极电流(Ic)

10A

功率(Pd)

69W

栅极阈值电压(Vge(th)@Ic)

1.98V@15V,5A

栅极电荷(Qg@Ic,Vge)

14nC

开启延迟时间(Td(on))

8.5ns

关断延迟时间(Td(off))

106ns

导通损耗(Eon)

0.08mJ

关断损耗(Eoff)

0.07mJ

反向恢复时间(Trr)

195ns

工作温度

-55℃~+150℃@(Tj)

Shop:

1001

Settle

Cooperation

QTY[pcs]

Price[CNY/pcs]

1+

4.48

10+

3.69

30+

3.29

100+

2.9

500+

2.089999

1000+

1.97

QTY(Multiplicity:1):

Stock:

2,971

+-

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Quota

Mpq:

2500 (圆盘)

Delivery:

2-5 Business Day

Total:

￥4.48

C005526493 AOD5B65M1 由 AOS(美国万代) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-IGBT管 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C005526493 AOD5B65M1 参考价格 ￥4.48，实时库存 2971。TO-252-2(DPAK) 集射极击穿电压(Vces): 650V, 集电极电流(Ic): 10A, 功率(Pd): 69W, 栅极阈值电压(Vge(th)@Ic): 1.98V@15V,5A, 栅极电荷(Qg@Ic,Vge): 14nC, 开启延迟时间(Td(on)): 8.5ns, 关断延迟时间(Td(off)): 106ns, 导通损耗(Eon): 0.08mJ, 关断损耗(Eoff): 0.07mJ, 反向恢复时间(Trr): 195ns, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 AOD5B65M1 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。