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GT60M324(Q)

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:Toshiba(东芝)
型号:
编号:
封装:TO-3P-3
海关编码:-
参数描述:耐压:900V 电流:60A
数据手册:
数据手册
规格
Category
IGBT管
集射极击穿电压(Vces)
900V
集电极电流(Ic)
60A
功率(Pd)
254W
正向压降(Vf@If)
1.3V@15A
集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Vge)
1.7V@60A,15V
栅极阈值电压(Vge(th)@Ic)
7.5V@60mA
输入电容(Cies@Vce)
3.6nF@10V
开启延迟时间(Td(on))
310ns
关断延迟时间(Td(off))
360ns
反向恢复时间(Trr)
800ns
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
11.82
10+
11.59
30+
11.44
100+
11.29
数量(递增量:1):
库存:
25
最小包装量:
25 (管)
交付周期:
2-5 工作日
共:
11.82
C005526495 GT60M324(Q) 由 Toshiba(东芝) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-IGBT管 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C005526495 GT60M324(Q) 参考价格 ¥11.82,实时库存 25。TO-3P-3 集射极击穿电压(Vces): 900V, 集电极电流(Ic): 60A, 功率(Pd): 254W, 正向压降(Vf@If): 1.3V@15A, 集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Vge): 1.7V@60A,15V, 栅极阈值电压(Vge(th)@Ic): 7.5V@60mA, 输入电容(Cies@Vce): 3.6nF@10V, 开启延迟时间(Td(on)): 310ns, 关断延迟时间(Td(off)): 360ns, 反向恢复时间(Trr): 800ns。你可以下载 GT60M324(Q) 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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