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产商: | Toshiba(东芝) |
型号: | |
编号: | |
封装: | TO-3P-3 |
海关编码: | - |
参数描述: | 耐压:900V 电流:60A |
数据手册: | |
规格
集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Vge)
1.7V@60A,15V
栅极阈值电压(Vge(th)@Ic)
7.5V@60mA
C005526495 GT60M324(Q) 由 Toshiba(东芝) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-IGBT管 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C005526495 GT60M324(Q) 参考价格 ¥11.82,实时库存 25。TO-3P-3 集射极击穿电压(Vces): 900V, 集电极电流(Ic): 60A, 功率(Pd): 254W, 正向压降(Vf@If): 1.3V@15A, 集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Vge): 1.7V@60A,15V, 栅极阈值电压(Vge(th)@Ic): 7.5V@60mA, 输入电容(Cies@Vce): 3.6nF@10V, 开启延迟时间(Td(on)): 310ns, 关断延迟时间(Td(off)): 360ns, 反向恢复时间(Trr): 800ns。你可以下载 GT60M324(Q) 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。