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2ST501T

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:ST(意法半导体)
型号:
编号:
封装:TO-220
海关编码:-
参数描述:NPN 耐压:350V 电流:4A
数据手册:
数据手册
规格
Category
达林顿管
类型
NPN
集射极击穿电压(Vceo)
350V
直流电流增益(hFE@Vce,Ic)
2000@2A,2V
功率(Pd)
100W
集电极电流(Ic)
4A
集电极截止电流(Icbo@Vcb)
100uA
集电极-发射极饱和电压((VCE(sat)@Ic,Ib)
1.5V@2mA,2A
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
4.56
10+
4.46
50+
4.39
100+
4.32
数量(递增量:1):
库存:
50
最小包装量:
50 (管)
交付周期:
2-5 工作日
共:
4.56
C005530712 2ST501T 由 ST(意法半导体) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-达林顿管 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C005530712 2ST501T 参考价格 ¥4.56,实时库存 50。TO-220 类型: NPN, 集射极击穿电压(Vceo): 350V, 直流电流增益(hFE@Vce,Ic): 2000@2A,2V, 功率(Pd): 100W, 集电极电流(Ic): 4A, 集电极截止电流(Icbo@Vcb): 100uA, 集电极-发射极饱和电压((VCE(sat)@Ic,Ib): 1.5V@2mA,2A。你可以下载 2ST501T 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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