DGTD65T40S2PT

C005537317 DGTD65T40S2PT 由 Diodes(美台) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-IGBT管 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C005537317 DGTD65T40S2PT 参考价格 ￥19.75，实时库存 450。TO-247-3 IGBT类型: FS(场截止), 集射极击穿电压(Vces): 650V, 集电极电流(Ic): 80A, 功率(Pd): 230W, 正向压降(Vf@If): 1.5V@20A, 集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Vge): 1.8V@40A,15V, 栅极阈值电压(Vge(th)@Ic): 2.3V@15V,40A, 栅极电荷(Qg@Ic,Vge): 60nC, 输入电容(Cies@Vce): 1.565nF@25V, 开启延迟时间(Td(on)): 6ns, 关断延迟时间(Td(off)): 55ns, 导通损耗(Eon): 0.5mJ, 关断损耗(Eoff): 0.4mJ, 反向恢复时间(Trr): 60ns。你可以下载 DGTD65T40S2PT 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。