SGD02N60

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产商:	Infineon(英飞凌)
型号:	SGD02N60
编号:	C005537439
封装:	TO-252
海关编码:	-
参数描述:	耐压:600V 电流:6A
数据手册:	数据手册

规格

Category

IGBT管

IGBT类型

NPT(非穿通型)

集射极击穿电压(Vces)

600V

集电极电流(Ic)

6A

功率(Pd)

30W

栅极阈值电压(Vge(th)@Ic)

2.4V@15V,2A

栅极电荷(Qg@Ic,Vge)

14nC

开启延迟时间(Td(on))

20ns

关断延迟时间(Td(off))

259ns

导通损耗(Eon)

0.036mJ

关断损耗(Eoff)

0.028mJ

工作温度

-55℃~+150℃@(Tj)

店铺:

1001

入驻

合作库存

数量[pcs]

单价[CNY/pcs]

1+

10.44

200+

4.04

500+

3.9

1000+

3.83

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库存:

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C005537439 SGD02N60 由 Infineon(英飞凌) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-IGBT管 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C005537439 SGD02N60 参考价格 ￥10.44，实时库存 2500。TO-252 IGBT类型: NPT(非穿通型), 集射极击穿电压(Vces): 600V, 集电极电流(Ic): 6A, 功率(Pd): 30W, 栅极阈值电压(Vge(th)@Ic): 2.4V@15V,2A, 栅极电荷(Qg@Ic,Vge): 14nC, 开启延迟时间(Td(on)): 20ns, 关断延迟时间(Td(off)): 259ns, 导通损耗(Eon): 0.036mJ, 关断损耗(Eoff): 0.028mJ, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 SGD02N60 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。