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IXDI609SITR

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:IXYS(艾赛斯)
型号:
编号:
封装:SOIC-8-EP
海关编码:-
参数描述:IXDI609SITR
数据手册:
规格
Category
驱动芯片
驱动配置
低边
负载类型
MOSFET;IGBT
驱动通道数
1
峰值灌电流
9A
峰值拉电流
9A
电源电压
4.5V~35V
上升时间
22ns
下降时间
15ns
工作温度
-55℃~+150℃@(Tj)
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
24.69
10+
21.82
30+
20.11
100+
18.38
500+
17.58
1000+
17.23
数量(递增量:1):
库存:
8,000
最小包装量:
2000 (圆盘)
交付周期:
2-5 工作日
共:
24.69
C006343684 IXDI609SITR 由 IXYS(艾赛斯) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 集成电路-驱动器IC-驱动芯片 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C006343684 IXDI609SITR 参考价格 ¥24.69,实时库存 8000。SOIC-8-EP 驱动配置: 低边, 负载类型: MOSFET;IGBT, 驱动通道数: 1, 峰值灌电流: 9A, 峰值拉电流: 9A, 电源电压: 4.5V~35V, 上升时间: 22ns, 下降时间: 15ns, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 IXDI609SITR 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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