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SCTWA60N120G2-4
产品图片仅供参考，可能与产品实物不同，但不会改变其基本特征。
| 产商: | ST(意法半导体) |
| 型号: | |
| 编号: | |
| 封装: | TO-247-4 |
| 海关编码: | - |
| 参数描述: | SCTWA60N120G2-4 |
| 数据手册: | 数据手册 |
规格
Category
MOSFET
沟道类型
1个N沟道
Vds-漏源击穿电压
1200V
Id-漏极电流(25℃)
60A
Pd-功耗
388W
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
252.66
3+
227.96
30+
218.46
数量(递增量:1):
库存:
30最小包装量:
30 (管)
交付周期:
2-5 工作日
共:
￥252.66
C006561075 SCTWA60N120G2-4 由 ST(意法半导体) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C006561075 SCTWA60N120G2-4 参考价格 ￥252.66，实时库存 30。TO-247-4 沟道类型: 1个N沟道, Vds-漏源击穿电压: 1200V, Id-漏极电流(25℃): 60A, Pd-功耗: 388W。你可以下载 SCTWA60N120G2-4 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。
数据手册
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