SI4966DY-T1-E3

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产商:	Vishay(威世)
型号:	SI4966DY-T1-E3
编号:	C006974638
封装:	SOIC-8
海关编码:	-
参数描述:	2个N沟道 耐压:20V 停产
数据手册:	数据手册

规格

Category

MOSFET

类型

2个N沟道

漏源电压(Vdss)

20V

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)

25mΩ@4.5V,7.1A

功率(Pd)

2W

阈值电压(Vgs(th)@Id)

1.5V@250uA

店铺:

1001

入驻

合作库存

数量[pcs]

单价[CNY/pcs]

1+

19.2

10+

18.8

30+

18.54

100+

18.27

数量(递增量:1):

库存:

0

+-

订货

询价

最小包装量:

2500 (圆盘)

交付周期:

28-35 工作日

共:

￥19.20

C006974638 SI4966DY-T1-E3 由 Vishay(威世) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C006974638 SI4966DY-T1-E3 参考价格 ￥19.2，实时库存 0。SOIC-8 类型: 2个N沟道, 漏源电压(Vdss): 20V, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 25mΩ@4.5V,7.1A, 功率(Pd): 2W, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 1.5V@250uA。你可以下载 SI4966DY-T1-E3 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。