IRFH5302DTRPBF

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产商:	Infineon(英飞凌)
型号:	IRFH5302DTRPBF
编号:	C006995799
封装:	PQFN-8(5x6)
海关编码:	-
参数描述:	1个N沟道 耐压:30V 电流:29A
数据手册:	数据手册

规格

Category

MOSFET

类型

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

29A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)

2.5mΩ@10V,50A

功率(Pd)

3.6W

阈值电压(Vgs(th)@Id)

2.35V@100uA

店铺:

1001

入驻

合作库存

数量[pcs]

单价[CNY/pcs]

1+

4.76

10+

3.99

30+

3.61

100+

3.23

500+

3

1000+

2.88

数量(递增量:1):

库存:

0

+-

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最小包装量:

4000 (圆盘)

交付周期:

28-35 工作日

共:

￥4.76

C006995799 IRFH5302DTRPBF 由 Infineon(英飞凌) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C006995799 IRFH5302DTRPBF 参考价格 ￥4.76，实时库存 0。PQFN-8(5x6) 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 30V, 连续漏极电流(Id): 29A, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 2.5mΩ@10V,50A, 功率(Pd): 3.6W, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 2.35V@100uA。你可以下载 IRFH5302DTRPBF 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。