2N5116

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产商:	Solid State
型号:	2N5116
编号:	C007162187
封装:	TO-18
海关编码:	-
参数描述:	2N5116
数据手册:

规格

Category

结型场效应晶体管(JFET)

FET类型

P沟道

栅源击穿电压(V(BR)GSS)

30V

功率(Pd)

500mW

漏源导通电阻(RDS(on))

150Ω

输入电容(Ciss@Vds)

25pF@15V

店铺:

1001

入驻

合作库存

数量[pcs]

单价[CNY/pcs]

1+

109.13

200+

43.55

500+

42.09

1000+

41.37

数量(递增量:1):

库存:

0

+-

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最小包装量:

10 (袋)

交付周期:

28-35 工作日

共:

￥109.13

C007162187 2N5116 由 Solid State 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-结型场效应晶体管(JFET) 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C007162187 2N5116 参考价格 ￥109.13，实时库存 0。TO-18 FET类型: P沟道, 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 30V, 功率(Pd): 500mW, 漏源导通电阻(RDS(on)): 150Ω, 输入电容(Ciss@Vds): 25pF@15V。你可以下载 2N5116 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。