CID10N65F

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产商:	Tokmas(托克马斯)
型号:	CID10N65F
编号:	C009303178
封装:	TO-220F-3L
海关编码:	-
参数描述:	氮化镓MOS
数据手册:	数据手册

规格

Category

其他晶体管

沟道类型

1个N沟道

Vds-漏源击穿电压

650V

Id-漏极电流(25℃)

10A

Pd-功耗

75W

Vgs(th)-阈值电压

1.6V

RDS(on)-导通电阻(6V)

160mΩ

Qg-栅极电荷

2.3nC

Ciss-输入电容

83pF

Crss-反向传输电容

0.4pF

工作温度

-50℃~+150℃

Coss-输出电容

27pF

店铺:

1001

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数量[pcs]

单价[CNY/pcs]

1+

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2-5 工作日

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C009303178 CID10N65F 由 Tokmas(托克马斯) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-其他晶体管 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C009303178 CID10N65F 参考价格 ￥5.1，实时库存 235。TO-220F-3L 沟道类型: 1个N沟道, Vds-漏源击穿电压: 650V, Id-漏极电流(25℃): 10A, Pd-功耗: 75W, Vgs(th)-阈值电压: 1.6V, RDS(on)-导通电阻(6V): 160mΩ, Qg-栅极电荷: 2.3nC, Ciss-输入电容: 83pF, Crss-反向传输电容: 0.4pF, 工作温度: -50℃~+150℃, Coss-输出电容: 27pF。你可以下载 CID10N65F 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。