SIR572DP-T1-RE3

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产商:	Vishay(威世)
型号:	SIR572DP-T1-RE3
编号:	C009739983
封装:	PowerPAK-SO-8
海关编码:	-
参数描述:	1个N沟道 耐压:150V 电流:14.8A 电流:59.7A
数据手册:	数据手册

规格

Category

MOSFET

类型

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

150V

连续漏极电流(Id)

14.8A；59.7A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)

10.8mΩ@10A,10V

功率(Pd)

5.7W；92.5W

阈值电压(Vgs(th)@Id)

4V@250uA

栅极电荷(Qg@Vgs)

54nC@10V

输入电容(Ciss@Vds)

2.733nF@75V

工作温度

-55℃~+150℃@(Tj)

店铺:

1001

入驻

合作库存

数量[pcs]

单价[CNY/pcs]

1+

7.71

200+

2.99

500+

2.88

1000+

2.83

数量(递增量:1):

库存:

0

+-

订货

询价

最小包装量:

3000 (圆盘)

交付周期:

28-35 工作日

共:

￥7.71

C009739983 SIR572DP-T1-RE3 由 Vishay(威世) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C009739983 SIR572DP-T1-RE3 参考价格 ￥7.71，实时库存 0。PowerPAK-SO-8 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 150V, 连续漏极电流(Id): 14.8A；59.7A, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 10.8mΩ@10A,10V, 功率(Pd): 5.7W；92.5W, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 4V@250uA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 54nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 2.733nF@75V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 SIR572DP-T1-RE3 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。