7N60GS

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产商:	PY(平伟)
型号:	7N60GS
编号:	C009906750
封装:	TO-252-2
海关编码:	-
参数描述:	1个N沟道 耐压:600V 电流:7A N沟道超结MOS
数据手册:	数据手册

规格

Category

MOSFET

类型

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

600V

连续漏极电流(Id)

7A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)

580mΩ@10V,3.5A

功率(Pd)

63W

阈值电压(Vgs(th)@Id)

4V@250uA

店铺:

1001

入驻

合作库存

数量[pcs]

单价[CNY/pcs]

1+

3.7

10+

3.05

30+

2.72

100+

2.4

500+

2.049999

1000+

1.95

数量(递增量:1):

库存:

0

+-

订货

询价

最小包装量:

2500 (圆盘)

交付周期:

28-35 工作日

共:

￥3.70

C009906750 7N60GS 由 PY(平伟) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C009906750 7N60GS 参考价格 ￥3.7，实时库存 0。TO-252-2 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 600V, 连续漏极电流(Id): 7A, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 580mΩ@10V,3.5A, 功率(Pd): 63W, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 4V@250uA。你可以下载 7N60GS 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。