SQ2351ES-T1_GE3

产品图片仅供参考，可能与产品实物不同，但不会改变其基本特征。

产商:	Vishay(威世)
型号:	SQ2351ES-T1_GE3
编号:	C011424979
封装:	SOT-23-3
海关编码:	-
参数描述:	1个P沟道 耐压:20V 电流:3.2A 停产
数据手册:	数据手册

规格

Category

MOSFET

类型

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

20V

连续漏极电流(Id)

3.2A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)

115mΩ@2.4A,4.5V

功率(Pd)

2W

阈值电压(Vgs(th)@Id)

1.5V@250uA

栅极电荷(Qg@Vgs)

5.5nC@4.5V

输入电容(Ciss@Vds)

330pF@10V

工作温度

-55℃~+175℃@(Tj)

店铺:

1001

入驻

合作库存

数量[pcs]

单价[CNY/pcs]

1+

3.04

10+

2.41

30+

2.14

100+

1.8

500+

1.65

1000+

1.56

数量(递增量:1):

库存:

0

+-

订货

询价

最小包装量:

3000 (圆盘)

交付周期:

28-35 工作日

共:

￥3.04

C011424979 SQ2351ES-T1_GE3 由 Vishay(威世) 设计生产，在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C011424979 SQ2351ES-T1_GE3 参考价格 ￥3.04，实时库存 0。SOT-23-3 类型: 1个P沟道, 漏源电压(Vdss): 20V, 连续漏极电流(Id): 3.2A, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 115mΩ@2.4A,4.5V, 功率(Pd): 2W, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 1.5V@250uA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 5.5nC@4.5V, 输入电容(Ciss@Vds): 330pF@10V, 工作温度: -55℃~+175℃@(Tj)。你可以下载 SQ2351ES-T1_GE3 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，并查看实时库存、价格、交期，特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接，实时库存VMI服务和在线EDI交易。