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SQS420EN-T1_GE3

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产品图片仅供参考,可能与产品实物不同,但不会改变其基本特征。
产商:Vishay(威世)
型号:
编号:
封装:PowerPAK1212-8
海关编码:-
参数描述:1个N沟道 耐压:20V 电流:8A
数据手册:
数据手册
规格
Category
MOSFET
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)
8A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
28mΩ@5A,4.5V
功率(Pd)
18W
阈值电压(Vgs(th)@Id)
1.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)
14nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)
490pF@10V
工作温度
-55℃~+175℃@(Tj)
店铺:
1001
入驻
合作库存
数量[pcs]
单价[CNY/pcs]
1+
4.96
10+
4.019999
30+
3.56
100+
3.09
500+
2.81
1000+
2.67
数量(递增量:1):
库存:
995
最小包装量:
3000 (圆盘)
交付周期:
2-5 工作日
共:
4.96
C011425578 SQS420EN-T1_GE3 由 Vishay(威世) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C011425578 SQS420EN-T1_GE3 参考价格 ¥4.96,实时库存 995。PowerPAK1212-8 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 20V, 连续漏极电流(Id): 8A, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 28mΩ@5A,4.5V, 功率(Pd): 18W, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 1.5V@250uA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 14nC@4.5V, 输入电容(Ciss@Vds): 490pF@10V, 工作温度: -55℃~+175℃@(Tj)。你可以下载 SQS420EN-T1_GE3 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。
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