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产商: | Vishay(威世) |
型号: | |
编号: | |
封装: | PowerPAK-SO-8 |
海关编码: | - |
参数描述: | 1个N沟道 耐压:30V 电流:60A |
数据手册: | |
规格
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
3.7mΩ@10A,10V
阈值电压(Vgs(th)@Id)
2.2V@250uA
输入电容(Ciss@Vds)
2.425nF@15V
C011425612 SIRA10DP-T1-GE3 由 Vishay(威世) 设计生产,在 https://www.szyjc.com 沅竞成供应链有限公司 分立半导体-晶体管-MOSFET 里有现货销售,并且可以通过 原厂/代理 及其他正规渠道进行采购订货。C011425612 SIRA10DP-T1-GE3 参考价格 ¥4.78,实时库存 953。PowerPAK-SO-8 类型: 1个N沟道, 漏源电压(Vdss): 30V, 连续漏极电流(Id): 60A, 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 3.7mΩ@10A,10V, 功率(Pd): 5W;40W, 阈值电压(Vgs(th)@Id): 2.2V@250uA, 栅极电荷(Qg@Vgs): 51nC@10V, 输入电容(Ciss@Vds): 2.425nF@15V, 工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 SIRA10DP-T1-GE3 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,并查看实时库存、价格、交期,特殊情况可做询报价、bom一键采购和选型替代。平台提供数据API对接,实时库存VMI服务和在线EDI交易。